Seongho Cho, Zhiming Wang, and Gregory Salamo hanno documentato la nascita di un “quantum dot”, cristalli semiconduttori di qualche nanometro. Il lavoro è apparso su “Applied Physics Letters”.

Combinando la “molecular-beam epitaxy machine”, che crea materiali atomo per atomo, con uno Scanning Tunelling Microscopy, un microscopio che può visualizzare gli atomi, i ricercatori hanno assistito alla creazione di “isole atomiche”, chiamate quantum dots, composte da atomi di Arseniato di Indio e Gallio (InGaAs) disposti su una superficie di Arseniato di Gallio (GaAs).

A livello atomico, una superficie è caratterizzata da sottili strati chiamati “steps”. Finora, si è sempre ritenuto che il primo atomo di un quantum dot fosse posizionato alla base dello step. Il lavoro di Cho, Wang e Salamo ha mostrato invece che si posiziona ai suoi estremi. “Il nostro lavoro mostra chiaramente come l'isola atomica comincia a crescere a partire dalla cima dello step”, ha detto Wang.

I ricercatori hanno documentato per la prima volta questa crescita sequenziale, upward, degli atomi di InGaAs che ha dato vita ad una struttura piramidale. “La scoperta è molto significativa perché offre una nuova spiegazione del comportamento dei semiconduttori su nanoscala”, ha aggiunto Wang, “che era stata solo teorizzata ma mai osservata direttamente”.

Istituzione scientifica citata nell'articolo:

University of Arkansas