Una équipe di fisici germanici, dell'Istituto Hahn-Meitner di Berlino, ha fatto crescere, attraverso uno strato di polimeri, dei nanocavi semiconduttori per concepire un nuovo transistor ibrido. Uno stratagemma – sostengono gli autori del progetto - che ha permesso di ovviare a diverse inevitabili problematiche che si incontrano quando si mettono a punto simili circuiti ibridi, e che inoltre ha conferito al nuovo transistor molta più robustezza rispetto a quelli prodotti in passato.

I fisici hanno da prima realizzato una pila, costituita di strati polimero-metallo-polimero, fatta di una lamina metallica situata in un paio di pellicole di polimero il cui spessore raggiungeva circa 8 micron. La struttura è poi stata raggiata mediante ioni veloci che hanno scanalato dei fori nelle superfici, facendo poi crescere al loro interno nanocavi semiconduttori, aventi un diametro di 100 nanometri. Per rendere l'idea delle dimensioni della struttura, basta ricordare che in un centimetro quadrato si potevano fare crescere fino a 100 milioni di nanocavi semiconduttori. Una volta ultimate tutte queste operazioni la pila abbisogna solo di una aggiunta di contatti, sulla sua cima e sul piano della pila di strati, perché essa possa funzionare con le stesse modalità di un transistor.

I nanocavi semiconduttori, che detengono peculiarità elettriche e ottiche, sono delle strutture monodimensionali. Essi vengono impiegati per la costruzione di impianti a nanoscala, come sensori, transistor a effetto campo, ecc. Tuttavia, anche se gli impianti ibridi raggiungono una funzionalità combinata con i materiali organici e con le stesse proprietà elettroniche e ottiche dei materiali semiconduttori, non raggiungono una adeguata forza e stabilità meccanica affinché possano essere impiegati in applicazioni di routine. La scoperta è stata pubblicata dal periodico "Applied Physics Letters".

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