Due scienziati americani hanno realizzato un nuovo tipo di transistor capace di raggiungere una velocità operativa di ben 604 GHz, ossia quasi 200 volte superiore a quella del più veloce processore per PC oggi in commercio.

I transistor sono un componente fondamentale dei circuiti elettronici che si trovano all'interno dei chip al silicio: dalla loro efficienza dipende strettamente la velocità di un processore. Milton Feng e Walid Hafez, dell'University of Illinois, sostengono che la loro invenzione aprirà la strada a processori in grado di elaborare oltre 600 miliardi di operazioni al secondo. “L'obiettivo di un transistor capace di sostenere frequenze nell'ordine dei terahertz è ora assai più vicino”, ha detto Feng. “Questa nuova generazione di transistor sarà cruciale nella convergenza tra computing e comunicazioni ad altissima velocità”.

Milton Feng

I due ricercatori hanno spiegato di essere riusciti nell’impresa grazie all'impiego di alcuni nuovi materiali e una nuova struttura multistratificata che favoriscono il transito degli elettroni incrementando la densità della corrente. Il nano-transistor è lungo meno della metà di un milionesimo di metro, meno di 50 nanometri, stabilendo un nuovo record nelle performance raggiunte da questi componenti elettronici, 3 volte più veloce del più veloce transistor basato su silicio.

I due nano-ingegneri hanno usato un componente conosciuto come transistor a giunzione bipolare che consiste di tre strati di materiale, messi uno sull'altro, in modo da facilitare il passaggio di corrente che determina gli stati macchina binari accesso/spento, 0/1, manipolando due diversi tipi di materiali semiconduttori cristallini: l'indio fosfide (InP) e l'arseniato di indio e gallio (InGaAs).

Per dei chip di uso commerciale basati sul nuovo transistor, occorrerà però attendere ancora un po' di anni.

Istituzione scientifica citata nell'articolo:

Electrical and Computer Engineering, University of Illinois